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对角线相等的四边形是什么四边形,对角线相等的平行四边形是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查,目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全(quán),是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng),为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全,防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

  半导(dǎo)体突(tū)发(fā)!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng),江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降,至少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商,采购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì),江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng),巩固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  对角线相等的四边形是什么四边形,对角线相等的平行四边形是什么分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工(gō对角线相等的四边形是什么四边形,对角线相等的平行四边形是什么ng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未(wè对角线相等的四边形是什么四边形,对角线相等的平行四边形是什么i)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关(guān)公司份额提升,以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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